Opis
Kapaciteta: 2 TB
Kontroler: Samsung
NAND Flash pomnilnik: Samsung V-NAND TLC
DRAM Cache pomnilnik: 2GB LPDDR4
Dimenzije: 80 x 22 x 2,3 mm
Format: M.2 (2280)
Sekvenčno branje: 7450 MB/s
Sekvenčno pisanje: 6900 MB/s
Naključno branje (QD 1, nit 1): 22.000 IOPS
Naključno pisanje (QD 1, nit 1): 80.000 IOPS
Naključno branje (QD 32, nit 16): 1.400.000 IOPS
Naključno pisanje (QD 32, nit 16): 1.550.000 IOPS
Poraba energije: v mirovanju 55 mW, branje 5,8 W, pisanje 5,1 W
Zanesljivost: TBW 1200 TB, MTBF 1,5 milijonov ur
Podprte funkcije: TRIM, Garbage Collection, S.M.A.R.T.
Varnost: AES 256-bit enkripcija, TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive IEEE1667
Zaenkrat še ni mnenj.